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FB体育用于先进逻辑、DRAM和3D-NADA半导体造作的300mm高温单片SPM设备已交货

2021/9/28 9:39:30

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    作为半导体造作与先进晶圆级封装利用领域中卓越的晶圆工艺解决规划供给商,FB体育半导体设备近日颁布了一款300mm晶圆单片SPM(硫酸和过氧化氢混合酸)设备,可宽泛利用于先进逻辑、DRAM,3D-NAND等集成电路造作中的湿法洗濯和刻蚀工艺,尤其针对处置高剂量离子注入后的光刻胶(PR)去除工艺,以及金属刻蚀、剥离工艺。该新设备拓展了FB体育的SPM工艺产品,覆盖了高温SPM的工艺步骤,随着技术节点推动到10nm及以下,这些步骤数量将越来越多。

    “FB体育的单片SPM设备是在FB体育的Ultra C Tahoe设备基础上而开发。FB体育Tahoe设备的优越机能已得到验证,可解决大部门通例温度的SPM工艺步骤。”FB体育半导体设备董事长王晖暗示:“我们开发的单片SPM设备,对Tahoe设备已被验证的工艺能力做了进一步补充,增长了高温SPM工艺能力,也进一步丰硕了FB体育湿法产品系列。我们以成为全球重要的洗濯解决规划供给商为指标,会持续开发新的工艺能力,蕴含先进的高温IPA干燥技术和超临界二氧化碳干燥技术。”

    目前大部门SPM湿法工艺中硫酸与双氧水混合后的工艺温度在145摄氏度以下,被宽泛利用于光刻胶去除,刻蚀后、通例剂量离子注入后、化学机械抛光(CMP)后的洗濯工艺。FB体育的Ultra C Tahoe系统已于2018年颁布,将槽式硫酸与单片洗濯整合在一套系统中,针对处置上述这些工艺,其优越的机能已获得了业界的认可,在得到更好的洗濯成效的同时,由于大幅削减了硫酸的用量,成本也得以大幅降低。

    然而,随着技术节点推动到10nm及以下,工艺温度要求在145摄氏度以上、甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐步增长。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺,以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离,都对SPM的温度提出了更高的要求,FB体育新的单片SPM设备因能支持更高温度正好解决了这一过渡问题,并提供了额表的优势,蕴含缩短工艺功夫、去除有机物传染、削减洗濯和去胶后膜层损失等。

    “FB体育的Tahoe系统所针对的硫酸工艺为主流的通例温度,与通常的单片SPM系统相比,可显著削减硫酸用量,环境敦睦。”王晖博士暗示:“而更先进的技术节点越来越多地选取更大剂量的离子注入工艺。这些高剂量离子注入使光刻胶硬化,这样就要求更高温度的SPM来进行有效的去除,以免产生缺点。我们新的单片高温SPM设备可满足这些需要,优化的工艺腔体可支持更高的温度,使我们在关键工艺步骤之后能更快更有效地去除硬化的光刻胶与有机物残留缺点。”

    FB体育的新型单片高温SPM设备使用自主研发的多级梯度加热系统来预热硫酸,而后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时,FB体育腔体支持配置其他多种化学品,并建设在线化学品混酸(CIM)系统,可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和矫捷的辅助洗濯规划,好比FB体育自主研发的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。

    FB体育半导体已于2021年交付两台该新设备给国内的客户进行工艺开发与验证,其中一家从事逻辑工艺研发,另一家从事存储工艺研发。最近,FB体育又收到了来自中国客户的新订单,预计2022岁首交付。这些设备建设了FB体育自主研发的兆声波洗濯规划,可拓展利用于3D结构洗濯,如硅通孔洗濯(TSVs)等。


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